STGB30H60DFB Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT

HB series 600 V, 30 A high speed

Внешний вид товара может отличаться от представленного

STM

ST MICROELECTRONICS

Цена по запросу

STM STGB30H60DFB STGB30H60DFB

30-45 дней со склада #0725

1500 шт. доступно В наличии на складе #0725.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Запросить

Техническая документация: STGB30H60DFB.pdf 116.0kb

Технология	SMD/SMT
Вид монтажа	D2PAK-3
Тип продукта	Si

Ниже представлены все возможные варианты поставки для STGB30H60DFB с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить STGB30H60DFB STM, ST MICROELECTRONICS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

639.88 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0725 Поставка: 30 - 45 дней	STM STGB30H60DFB #STGB30H60DFB 2021	Цены по запросу	1500 шт. В наличии на складе #0725. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней Мин. заказ: 3 шт.	Запросить	STM STGB30H60DFB #STGB30H60DFB 2021 Цены по запросу 1500 шт. В наличии на складе #0725. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней Мин. заказ: 3 шт. Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB30H60DFB #3366977 IGBT, 600V, 60A, 175DEG C, 260W	1+ 723,52 ₽ 10+ 548,63 ₽ 100+ 421,66 ₽ 500+ 356,97 ₽ 1000+ 297,08 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB30H60DFB #3366977 IGBT, 600V, 60A, 175DEG C, 260W 1+ 723,52 ₽ 10+ 548,63 ₽ 100+ 421,66 ₽ 500+ 356,97 ₽ 1000+ 297,08 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB30H60DFB Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	1+ 639,88 ₽ 10+ 577,89 ₽ 25+ 544,68 ₽ 100+ 473,82 ₽ 500+ 402,97 ₽ 1000+ 363,12 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB30H60DFB Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed 1+ 639,88 ₽ 10+ 577,89 ₽ 25+ 544,68 ₽ 100+ 473,82 ₽ 500+ 402,97 ₽ 1000+ 363,12 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB30H60DFB #STMSTGB30H60DFB D2PAK/Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB30H60DFB #STMSTGB30H60DFB D2PAK/Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0210 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB30H60DFB #85412900 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB SERIES600 V, 30 A HIGH SPEED	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB30H60DFB #85412900 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB SERIES600 V, 30 A HIGH SPEED Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽