BSM180D12P2C101 Биполярный транзистор

N Канал, 180 А, 1.2 кВ, 2.7 В

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ROHM

ROHM SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: BSM180D12P2C101.pdf

Тип корпуса транзистора	Module
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jun-2015)
Рассеиваемая мощность	1.13kW
Напряжение источника стока	1.2kV
Макс. рабочая температура	150°C
Непрерывный ток стока	180A
Мин. рабочая температура	-40°C
Количество контактов	10Pins
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	2.7V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSM180D12P2C101 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить BSM180D12P2C101 ROHM, ROHM SEMICONDUCTOR Биполярный транзистор, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, 2.7 В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

93786.63 7

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#03011 Поставка: 15 - 25 дней	ROHM BSM180D12P2C101 #2407303	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ROHM BSM180D12P2C101 #2407303 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ROHM BSM180D12P2C101 #2345471 Биполярный транзистор, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, 2.7 В	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ROHM BSM180D12P2C101 #2345471 Биполярный транзистор, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, 2.7 В Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0203 Поставка: 40 - 60 дней	ROHM BSM180D12P2C101 #BSM180D12P2C101 SiC-N-Ch-Half-Bridge 1200V 204A C-Pack	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ROHM BSM180D12P2C101 #BSM180D12P2C101 SiC-N-Ch-Half-Bridge 1200V 204A C-Pack Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode)	1+ 93786,64 ₽ 5+ 90558,29 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode) 1+ 93786,64 ₽ 5+ 90558,29 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	ROHM BSM180D12P2C101 #ROHBSM180D12P2C101 SiC Power Module Half bridge module	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 12 шт. Кратность: 12 шт.	Запросить	ROHM BSM180D12P2C101 #ROHBSM180D12P2C101 SiC Power Module Half bridge module Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 12 шт. Кратность: 12 шт. Запросить
#02301 Поставка: 30 - 40 дней	Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 0.0	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 0.0 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#02301 Поставка: 30 - 40 дней	Rohm BSM180D12P2C101 MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Rohm BSM180D12P2C101 MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽