loader
← Каталог

APTCV60HM45RCT3G Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Ugs: ±20В; Idm: 130А

APTCV60HM45RCT3G

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: APTCV60HM45RCT3G.pdf

Сопротивление в открытом состоянии

45мОм

Напряжение затвор-исток

±20В

Топология

термистор NTC

Рассеиваемая мощность

250Вт

Производитель

MICROCHIP (MICROSEMI)

Ток стока

38А

Корпус

SP3F

Ток коллектора

50А

Технология

Trench

Механический монтаж

винтами

Электрический монтаж

Press-in PCB

Конструкция диода

диод SiC/транзистор

Напряжение сток-исток

600В

Ток стока в импульсном режиме

130А

Тип модуля

полевой МОП-транзистор/БТИЗ

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APTCV60HM45RCT3G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APTCV60HM45RCT3G MICROCHIP (MICROSEMI), MICROSEMI COPORATION Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Ugs: ±20В; Idm: 130А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45RCT3G

#APTCV60HM45RCT3G

Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Ugs: ±20В; Idm: 130А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45RCT3G

#APTCV60HM45RCT3G


Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Ugs: ±20В; Idm: 130А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
Microsemi Coporation
APTCV60HM45RCT3G
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Microsemi Coporation
APTCV60HM45RCT3G POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка