loader

Транзисторы

Все Только в наличии
ON Semiconductor
NXH35C120L2C2SG
IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 35A, DIP26
По запросу
от 10115,56 ₽
ON Semiconductor
NTTFS2D1N04HLTWG
MOSFET, N-CH, 40V, 150A, PQFN
По запросу
от 160,62 ₽
ON Semiconductor
NVBGS4D1N15MC
MOSFET, N-CH, 150V, 185A, TO-263
По запросу
от 1456,26 ₽
ON Semiconductor
AFGHL50T65SQD
IGBT, 650V, 80A, 268W, TO-247
По запросу
от 571,59 ₽
ON Semiconductor
NXH25C120L2C2SG
IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 25A, DIP26
По запросу
от 9147,88 ₽
ON Semiconductor
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET, N-CH, 25V, 365A, DFN
По запросу
от 287,93 ₽
ON Semiconductor
NTBG040N120SC1
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 60A, TO-263HV
По запросу
от 3344,18 ₽
ON Semiconductor
NTTFS3D7N06HLTWG
MOSFET, N-CH, 60V, 103A, PQFN
По запросу
от 160,09 ₽
ON Semiconductor
NTTFD4D0N04HLTWG
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 60A, WQFN
По запросу
от 141,12 ₽
ON Semiconductor
NXH50C120L2C2ESG
IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26
По запросу
от 12807,51 ₽
ON Semiconductor
NTH4L160N120SC1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт
По запросу
от 1375,80 ₽
ON Semiconductor
AFGHL40T65SQD
IGBT, 650V, 80A, 238W, TO-247
По запросу
от 602,04 ₽
ON Semiconductor
NTNS2K1P021ZTCG
MOSFET, P-CH, 20V, 0.127A, XDFN
По запросу
от 37,95 ₽
ON Semiconductor
NTH4L080N120SC1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
По запросу
от 1810,87 ₽
ON Semiconductor
NID9N05BCLT4G
MOSFET, N-CH, 52V, 9A, TO-252
По запросу
от 125,40 ₽
ON Semiconductor
NTHL160N120SC1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 69А; 59Вт
По запросу
от 1361,13 ₽
ON Semiconductor
NVBG040N120SC1
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 60A, TO-263HV
По запросу
от 2505,72 ₽
ON Semiconductor
NVH4L080N120SC1
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 29A, TO-247
По запросу
от 1810,87 ₽
ON Semiconductor
NTNS0K8N021ZTCG
MOSFET, N-CH, 20V, 0.22A, XDFN
По запросу
от 39,37 ₽
Vishay / Siliconix
SISF06DN-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, POWERPAK 1212
По запросу
от 122,46 ₽

Как используются транзисторы?

Перед тем, как купить строчный, цифровой транзистор, нужно определиться с максимальным рабочим напряжением и током стока. Мощные транзисторы используются как элементы в составе коммутаторов в импульсных источниках питания, схем распределения и коммутации электропитания, усилителей мощности звука, схем управления электродвигателем, стабилизаторов напряжения и ключей управления электромагнитными реле, светодиодной нагрузкой и др. Параметры, указанные в паспорте изделия, нужно, конечно, учитывать, но окончательный выбор осуществляется на основе графика ОБР для импульсного либо статического режима работы (данные приводятся в документации). Как правило, устройства коммутируют меньший ток по сравнению со стандартной классификацией, вдобавок параметр тока стока нередко ограничен температурой кристалла.

Если вам нужна помощь в выборе прибора, обратитесь к нашим консультантам.