IXXN110N65C4H1 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXXN110N65C4H1.pdf

Ток коллектора в импульсе	470А
Рассеиваемая мощность	750Вт
Производитель	IXYS
Корпус	SOT227B
Ток коллектора	110А
Технология	XPT™
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	650В
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	одиночный транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXXN110N65C4H1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXXN110N65C4H1 IXYS Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXXN110N65C4H1 #IXXN110N65C4H1 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXXN110N65C4H1 #IXXN110N65C4H1 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
	#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXXN110N65C4H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXXN110N65C4H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽