loader
← Каталог

IXXN110N65C4H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT

IXXN110N65C4H1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS

Техническая документация: IXXN110N65C4H1.pdf

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Вид монтажа

SMD/SMT

Конфигурация

Single Dual Emitter

Упаковка / блок

SOT-227B-4

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

210 A

Производитель

IXYS

Торговая марка

IXYS

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Упаковка

Tube

Продукт

IGBT Silicon Modules

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.98 V

Рассеяние мощности

750 W

Минимальная рабочая температура

- 55 C

RoHS

 

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

По запросу

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXXN110N65C4H1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXXN110N65C4H1 IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

2287.69 3
Внешний вид Склад Производитель / Наименование Цена Доступность Основная информация
TME
EU
Поставка:
20 - 30 дней
IXYS
IXXN110N65C4H1

# IXXN110N65C4H1

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

1+ 2287,70  

2+ 2182,83  

Нет в наличии

Ожидается поставка

IXYS
IXXN110N65C4H1

# IXXN110N65C4H1

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

1+ 2287,70  

2+ 2182,83  

Нет в наличии

Ожидается поставка

#0205
US
Поставка:
28 - 35 дней
IXYS
IXXN110N65C4H1
IGBT 650V 210A 750W SOT227B

По запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXXN110N65C4H1 IGBT 650V 210A 750W SOT227B

По запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
US
Поставка:
25 - 35 дней
IXYS
IXXN110N65C4H1
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT

По запросу

Нет в наличии

Ожидается поставка

IXYS
IXXN110N65C4H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT

По запросу

Нет в наличии

Ожидается поставка