FZ1200R17KF6C_B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.95KA

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: FZ1200R17KF6C_B2.pdf

Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Вид монтажа	SMD/SMT
Конфигурация	Dual Common Emitter Common Gate
Упаковка / блок	IHM130
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	1950 A
Производитель	Infineon
Торговая марка	Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Продукт	IGBT Silicon Modules
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.6 V
Рассеяние мощности	9.6 kW
Минимальная рабочая температура	- 40 C
RoHS
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FZ1200R17KF6C_B2 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FZ1200R17KF6C_B2 INFINEON TECHNOLOGIES Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.95KA можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies FZ1200R17KF6C_B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.95KA	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies FZ1200R17KF6C_B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.95KA Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽