Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — GT30J121(Q)

GT30J121(Q) Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN

Внешний вид товара может отличаться от представленного

TOSHIBA

По запросу

Запросить

Техническая документация: GT30J121(Q).pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	60А
Производитель	TOSHIBA
Напряжение коллектор-эмиттер	600В
Время выключения	430нс
Корпус	TO3PN
Ток коллектора	30А
Рассеиваемая мощность	170Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Время включения	240нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для GT30J121(Q) с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить GT30J121(Q) TOSHIBA Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	TOSHIBA GT30J121(Q) #GT30J121Q Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	TOSHIBA GT30J121(Q) #GT30J121Q Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
	#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Toshiba GT30J121(Q) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Toshiba GT30J121(Q) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽