Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: IPD031N06L3GATMA1.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Ток стока	100А
Корпус	PG-TO252-3
Технология	OptiMOS™ 3
Рассеиваемая мощность	167Вт
Сопротивление в открытом состоянии	3,1мОм
Тип транзистора	N-MOSFET
Напряжение сток-исток	60В
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD031N06L3GATMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1 #IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1 #IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽