loader
← Каталог

IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

IPD031N06L3GATMA1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

Техническая документация: IPD031N06L3GATMA1.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Производитель

INFINEON TECHNOLOGIES

Ток стока

100А

Корпус

PG-TO252-3

Технология

OptiMOS™ 3

Рассеиваемая мощность

167Вт

Сопротивление в открытом состоянии

3,1мОм

Тип транзистора

N-MOSFET

Напряжение сток-исток

60В

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Недоступно для заказа

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD031N06L3GATMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD031N06L3GATMA1 None Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

150.23 1
Внешний вид Склад Производитель / Наименование Цена Доступность Основная информация
TME
EU
Поставка:
20 - 30 дней
Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1

# IPD031N06L3GATMA1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

22+ 150,23  

22+ 150,23  

Нет в наличии

Ожидается поставка
Мин. заказ: 22 шт.
Кратность: 22 шт.

Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1

# IPD031N06L3GATMA1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

22+ 150,23  

22+ 150,23  

Нет в наличии

Ожидается поставка
Мин. заказ: 22 шт.
Кратность: 22 шт.