loader
← Каталог

SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3

,

9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23

SI2312BDS-T1-GE3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: SI2312BDS-T1-GE3.pdf

Макс. рабочая температура

150°C

Типовое напряжение

20V

Количество контактов

3Pins

Измерение напряжения

4.5V

Сопротивление при включенном состоянии

0.025ohm

Рассеиваемая мощность

750mW

Непрерывный ток стока

3.9A

Макс. сила тока

5A

Диапазон рабочих температур

-55°C to +150°C

Макс. напряжение

0.85V

Мин. рабочая температура

-55°C

Полярность транзистора

N Channel

Пороговое напряжение

850mV

Мин. напряжение

0.45V

Макс. температура перехода

150°C

Тип прекращения

Surface Mount Device

Тип корпуса транзистора

SOT-23

Особо опасные вещества

No SVHC (15-Jun-2015)

Напряжение источника стока

20V

Испытательное напряжение

4.5V

Время нарастания

30ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI2312BDS-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY(), SIX, VISHAY / SILICONIX, VISHAY, VISHAY SEMICONDUCTORS Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 8
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0709
Поставка:
30 - 45 дней
VISHAY()
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1-GE3

2133

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

VISHAY()
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1-GE3


2133

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0723
Поставка:
30 - 45 дней
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1-GE3

SOT-23

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1-GE3


SOT-23

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0202
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1-GE3


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

#0201
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#1684084

MOSFET, N, SOT-23

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#1684084


MOSFET, N, SOT-23

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay / Siliconix
SI2312BDS-T1-GE3

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Vishay / Siliconix
SI2312BDS-T1-GE3 None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay Semiconductors
SI2312BDS-T1-GE3
МОП-транзистор 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Vishay Semiconductors
SI2312BDS-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0210
Поставка:
40 - 60 дней
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#85412900

Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

Vishay
SI2312BDS-T1-GE3

#85412900


Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.
Кратность: 3000 шт.

#0214
Поставка:
20 - 30 дней
SIX
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1G

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.

SIX
SI2312BDS-T1-GE3

#SI2312BDS-T1G


None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 3000 шт.