SI2312BDS-T1-GE3
#SI2312BDS-T1-GE3
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
FIVEL — официальный дистрибьютор ODU (Германия)
Многолетний опыт ODU в производстве разъемов для решения ваших задач.
• Прямые поставки от производителя
• Предоставление образцов
• Техническая поддержка
Видеокарты для майнинга NVIDIA® CMP 90HX и CMP 170HX в наличии!
• Максимальный хешрейт 95MH/s и 170MH/s
• Вы можете разместить заказ на видеокарты и готовые фермы
FIVEL — официальный дистрибьютор FSP Group в России
АКЦИЯ! Получите разъёмы ODU бесплатно
Покупаете Amphenol,
Lemo или Fisсher?
Попробуйте качественные
разъемы ODU
Официальная дистрибьюция
Прямые поставки со склада TME
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SI2312BDS-T1-GE3.pdf
Макс. рабочая температура |
150°C |
Типовое напряжение |
20V |
Количество контактов |
3Pins |
Измерение напряжения |
4.5V |
Сопротивление при включенном состоянии |
0.025ohm |
Рассеиваемая мощность |
750mW |
Непрерывный ток стока |
3.9A |
Макс. сила тока |
5A |
Диапазон рабочих температур |
-55°C to +150°C |
Макс. напряжение |
0.85V |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Полярность транзистора |
N Channel |
Пороговое напряжение |
850mV |
Мин. напряжение |
0.45V |
Макс. температура перехода |
150°C |
Тип прекращения |
Surface Mount Device |
Тип корпуса транзистора |
SOT-23 |
Особо опасные вещества |
No SVHC (15-Jun-2015) |
Напряжение источника стока |
20V |
Испытательное напряжение |
4.5V |
Время нарастания |
30ns |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI2312BDS-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, SIX, VISHAY / SILICONIX, VISHAY Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TME
Поставка:
40 - 60 дней |
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3
#SI2312BDS-T1-GE3 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3 #SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|
![]() |
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
![]() |
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
![]() |
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
![]() |
#0210
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Vishay
SI2312BDS-T1-GE3 #85412900 Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
![]() |
#0214
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
SIX
SI2312BDS-T1-GE3 #SI2312BDS-T1G None Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |