Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа N — Транзисторы с каналом N SMD — SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI3456DDV-T1-GE3.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	2,7Вт
Производитель	VISHAY
Ток стока в импульсном режиме	20А
Ток стока	6,3А
Корпус	TSOP6
Технология	TrenchFET®
Напряжение сток-исток	30В
Сопротивление в открытом состоянии	50мОм
Заряд затвора	6нC
Тип транзистора	N-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI3456DDV-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SI3456DDV-T1-GE3 #SI3456DDV-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	Vishay SI3456DDV-T1-GE3 #SI3456DDV-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽