Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI4435FDY-T1-GE3.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	4,8Вт
Производитель	VISHAY
Ток стока в импульсном режиме	-32А
Ток стока	-12,6А
Корпус	SO8
Технология	TrenchFET®
Напряжение сток-исток	-30В
Сопротивление в открытом состоянии	30мОм
Заряд затвора	28нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI4435FDY-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY Транзистор: P-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SI4435FDY-T1-GE3 #SI4435FDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	Vishay SI4435FDY-T1-GE3 #SI4435FDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽