HGT1S20N60A4S9A
#1324847
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (812) 385-76-87
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![HGT1S20N60A4S9A]( "HGT1S20N60A4S9A")
HGT1S20N60A4S9A IGBT
,D2-PAK, 600V
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: HGT1S20N60A4S9A.pdf
Макс. рабочая температура |
150°C |
Импульсный ток ICM |
280A |
Постоянный ток коллектора |
70A |
Количество контактов |
3Pins |
Температура при токовой нагрузке |
25°C |
Макс. непрерывный ток, А |
70A |
Напряжение |
600V |
Макс. номинальная температура |
25°C |
Рассеиваемая мощность |
290W |
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" |
2.7V |
Тепловое сопротивление перехода к корпусу A |
0.43°C/W |
Диапазон рабочих температур |
-55°C to +150°C |
Напряжение коллектор-эмиттер |
600V |
Макс. рассеиваемая мощность |
290W |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Полярность транзистора |
N Channel |
Макс. температура перехода |
150°C |
Тип прекращения |
Surface Mount Device |
Время спада |
32ns |
Тип корпуса транзистора |
TO-263 |
Особо опасные вещества |
No SVHC (15-Jan-2018) |
Количество транзисторов |
1 |
Время нарастания |
12ns |
Альтернативный тип корпуса |
TO-263 |
Мин. температура перехода |
-55°C |
Ток насыщения |
20A |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для HGT1S20N60A4S9A с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить HGT1S20N60A4S9A ON SEMICONDUCTOR IGBT, D2-PAK, 600V можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
1