Каталог — Полупроводники - дискретные — Транзисторы — Биполярные транзисторы — Биполярные одиночные массивы транзисторов - bjt — MMBTA14LT1G

MMBTA14LT1G Биполярный транзистор

дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 300 мВт, 300 мА, 20000 hFE

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: MMBTA14LT1G.pdf

Частота перехода	125MHz
Стандарт для использования в автомобильных устройствах и системах	AEC-Q101
Тип корпуса транзистора	SOT-23
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Напряжение коллектор-эмиттер	30V
Рассеиваемая мощность	300mW
Постоянный ток коллектора	300mA
MSL	MSL 1 - Unlimited
Макс. рабочая температура	150°C
Коэффициент усиления по току	20000hFE
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	3Pins
Полярность транзистора	NPN

Ниже представлены все возможные варианты поставки для MMBTA14LT1G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить MMBTA14LT1G ON SEMICONDUCTOR Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 300 мВт, 300 мА, 20000 hFE можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

8.28 2

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor MMBTA14LT1G #2441386 Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 300 мВт, 300 мА, 20000 hFE	3000+ 8,28 ₽	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	ON Semiconductor MMBTA14LT1G #2441386 Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 300 мВт, 300 мА, 20000 hFE 3000+ 8,28 ₽ По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor MMBTA14LT1G #2317594 Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 225 мВт, 300 мА, 10000 hFE	5+ 47,08 ₽ 10+ 34,76 ₽ 100+ 13,96 ₽ 500+ 13,68 ₽	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	ON Semiconductor MMBTA14LT1G #2317594 Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 225 мВт, 300 мА, 10000 hFE 5+ 47,08 ₽ 10+ 34,76 ₽ 100+ 13,96 ₽ 500+ 13,68 ₽ По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽