NUS5530MNR2G
#3615630
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: NUS5530MNR2G.pdf
Вид монтажа |
SMD/SMT |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток |
- 35 V |
Производитель |
ON Semiconductor |
Торговая марка |
ON Semiconductor |
Упаковка / блок |
DFN-8 |
Id - непрерывный ток утечки |
- 3.9 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток |
200 Ohms |
Упаковка |
Reel |
Pd - рассеивание мощности |
635 mW |
Vds - напряжение пробоя сток-исток |
- 20 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. |
12 S |
Полярность транзистора |
P-Channel |
RoHS |
|
Категория продукта |
МОП-транзистор |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для NUS5530MNR2G с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить NUS5530MNR2G ON SEMICONDUCTOR МОП-транзистор INTEGRATED POWER BJT можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
3000+ 107,83 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0234
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
||||
#0231
Поставка:
30 - 40 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |