loader
← Каталог

PDTC123EMB,315 Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Resistor Equipped Transistor

PDTC123EMB,315

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: PDTC123EMB,315.pdf

Диапазон рабочих температур

-65°C to +150°C

Частота перехода

230MHz

Базовый входной резистор

2.2kohm

Корпус транзистора

SOT-883B

Тип корпуса транзистора

SOT-883B

Эмиттерный резистор R2

2.2kohm

Макс. рабочая температура

150°C

Коэффициент усиления по току

30hFE

Рассеиваемая мощность

250mW

Постоянный ток коллектора

100mA

MSL

MSL 1 - Unlimited

Непрерывный коллекторный ток

100mA

Линейка продукции

PDTC123E Series

Особо опасные вещества

No SVHC (15-Jan-2018)

Полярность транзистора

NPN

Мин. рабочая температура

-65°C

Количество контактов

3Pins

Digital Transistor Polarity

Single NPN

Напряжение коллектор-эмиттер

50V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для PDTC123EMB,315 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить PDTC123EMB,315 PHILIPS SEMICONDUCTO, NXP SEMICONDUCTORS, NEXPERIA Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Resistor Equipped Transistor можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

56.74 5
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0201
Поставка:
40 - 60 дней
Nexperia
PDTC123EMB,315

#2191794

TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B

5+ 56,75 ₽

10+ 27,34 ₽

100+ 12,59 ₽

500+ 9,70 ₽

1000+ 7,70 ₽

5000+ 5,67 ₽

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 5 шт.
Кратность: 5 шт.

Nexperia
PDTC123EMB,315

#2191794


TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B

5+ 56,75 ₽

10+ 27,34 ₽

100+ 12,59 ₽

500+ 9,70 ₽

1000+ 7,70 ₽

5000+ 5,67 ₽

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 5 шт.
Кратность: 5 шт.

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
Nexperia
PDTC123EMB,315
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

Nexperia
PDTC123EMB,315 TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
NXP Semiconductors
PDTC123EMB,315
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Resistor Equipped Transistor

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

NXP Semiconductors
PDTC123EMB,315 Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Resistor Equipped Transistor

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

#0209
Поставка:
40 - 60 дней
Nexperia
PDTC123EMB,315

#PHSPDTC123EMB315

DFN1006B-3//Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

Nexperia
PDTC123EMB,315

#PHSPDTC123EMB315


DFN1006B-3//Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

#0209
Поставка:
40 - 60 дней
Philips Semiconducto
PDTC123EMB,315

#PHSPDTC123EMB315

DFN1006B-3/NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kO, R2 = 2.2 K?

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.

Philips Semiconducto
PDTC123EMB,315

#PHSPDTC123EMB315


DFN1006B-3/NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kO, R2 = 2.2 K?

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10000 шт.
Кратность: 10000 шт.