|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Infineon Technologies
FS50R06W1E3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Infineon Technologies
FF600R12IE4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
|
Нет в наличии
от 100416,07 ₽
|
|
Нет в наличии
от 100416,07 ₽
|
|
Infineon Technologies
FS25R12W1T4
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.85 В, 205 Вт, 1.2 кВ, Module
|
По запросу
Цена по запросу
|
|
По запросу
Цена по запросу
|
|
Infineon Technologies
FS50R12W2T4_B11
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Infineon Technologies
FS35R12W1T4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A
|
По запросу
Цена по запросу
|
|
По запросу
Цена по запросу
|
|
Infineon Technologies
FS75R12W2T4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
SMK
SKM300GBD12T4
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 422 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module
|
По запросу
от 36095,18 ₽
|
|
SMK
SKM300GBD12T4
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 422 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module
|
|
INFIN
FF75R12RT4HOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module
|
По запросу
от 8785,79 ₽
|
|
INFIN
FF75R12RT4HOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module
|
|
Infineon Technologies
FS75R12KT3GBOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module
|
Нет в наличии
от 24913,95 ₽
|
|
Нет в наличии
от 24913,95 ₽
|
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Нет в наличии
Цена по запросу
|
|
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 285 Вт, 1.2 кВ, Module
|
Нет в наличии
от 7890,19 ₽
|
|
Нет в наличии
от 7890,19 ₽
|
|
INFIN
FF225R12ME4BOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 320 А, 1.85 В, 1.05 кВт, 1.2 кВ, Module
|
По запросу
от 21703,62 ₽
|
|
INFIN
FF225R12ME4BOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 320 А, 1.85 В, 1.05 кВт, 1.2 кВ, Module
|
|
INFIN
FP50R12KE3BOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module
|
По запросу
от 25158,58 ₽
|
|
INFIN
FP50R12KE3BOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module
|
|
Infineon Technologies
FZ400R12KS4HOSA1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 510 А, 3.2 В, 2.5 кВт, 1.2 кВ, Module
|
Нет в наличии
от 24210,20 ₽
|
|
Нет в наличии
от 24210,20 ₽
|
|
IXYS
IXYN100N120C3H1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 134 А, 3.5 В, 690 Вт, 1.2 кВ, SOT-227B
|
По запросу
от 7459,46 ₽
|
|
IXYS
IXYN100N120C3H1
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 134 А, 3.5 В, 690 Вт, 1.2 кВ, SOT-227B
|