loader
← Каталог

GT25Q102 IGBT

,

1200V, TO-3P(LH)

GT25Q102

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: GT25Q102.pdf

Диапазон рабочих температур

-55°C to +150°C

Типовое время затухания

160ns

Постоянный ток коллектора

25A

Тип корпуса транзистора

TO-3P

Тип прекращения

Through Hole

Напряжение

1.2kV

Тип транзистора

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

1.2kV

Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"

2.7V

Макс. рассеиваемая мощность

200W

Импульсный ток ICM

50A

Рассеиваемая мощность

200W

Макс. рабочая температура

150°C

Время нарастания

100ns

Мин. рабочая температура

-55°C

Количество контактов

3Pins

Полярность транзистора

N Channel

Макс. непрерывный ток, А

25A

Ниже представлены все возможные варианты поставки для GT25Q102 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить GT25Q102 TOSHIBA IGBT, 1200V, TO-3P(LH) можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0201
Поставка:
40 - 60 дней
TOSHIBA
GT25Q102

#1300802

IGBT, 1200V, TO-3P(LH)

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

TOSHIBA
GT25Q102

#1300802


IGBT, 1200V, TO-3P(LH)

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка