IXDR30N120D1 БТИЗ транзистор

изолированный, 50 А, 2.4 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS SEMICONDUCTOR

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXDR30N120D1.pdf

Макс. рабочая температура	150°C
Постоянный ток коллектора	50A
Количество контактов	3Pins
Макс. непрерывный ток, А	50A
Напряжение	1.2kV
Конфигурация контактов	Copack (FRD)
Рассеиваемая мощность	200W
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	2.4V
Тепловое сопротивление перехода к корпусу A	0.6°C/W
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Макс. рассеиваемая мощность	200W
Мин. рабочая температура	-55°C
Полярность транзистора	N Channel
Тип прекращения	Through Hole
Время спада	70ns
Тип корпуса транзистора	TO-247AD
Тип транзистора	IGBT
Особо опасные вещества	No SVHC (12-Jan-2017)
Время нарастания	70ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXDR30N120D1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXDR30N120D1 IXYS SEMICONDUCTOR, , IXYS БТИЗ транзистор, изолированный, 50 А, 2.4 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов) можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

2014.23 4

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 #1300075 БТИЗ транзистор, изолированный, 50 А, 2.4 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 #1300075 БТИЗ транзистор, изолированный, 50 А, 2.4 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов) Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXDR30N120D1	1+ 2014,23 ₽ 10+ 1818,84 ₽ 100+ 1505,77 ₽ 500+ 1311,20 ₽ 1000+ 1197,08 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXDR30N120D1 None 1+ 2014,23 ₽ 10+ 1818,84 ₽ 100+ 1505,77 ₽ 500+ 1311,20 ₽ 1000+ 1197,08 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXDR30N120D1	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXDR30N120D1 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXDR30N120D1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V	1+ 2450,45 ₽ 10+ 2215,25 ₽ 30+ 2112,73 ₽ 120+ 1833,31 ₽ 510+ 1596,11 ₽ 1020+ 1588,07 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXDR30N120D1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 1+ 2450,45 ₽ 10+ 2215,25 ₽ 30+ 2112,73 ₽ 120+ 1833,31 ₽ 510+ 1596,11 ₽ 1020+ 1588,07 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽