IXGR32N170H1 БТИЗ транзистор

изолированный, 26 А, 3.5 В, 200 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS SEMICONDUCTOR

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXGR32N170H1.pdf

Макс. рабочая температура	150°C
Постоянный ток коллектора	26A
Количество контактов	3Pins
Макс. непрерывный ток, А	38A
Напряжение	1700V
Конфигурация контактов	Copack (FRD)
Рассеиваемая мощность	200W
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	3.5V
Тепловое сопротивление перехода к корпусу A	0.65°C/W
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Напряжение коллектор-эмиттер	1.7kV
Макс. рассеиваемая мощность	200W
Мин. рабочая температура	-55°C
Полярность транзистора	N Channel
Тип прекращения	Through Hole
Время спада	250ns
Тип корпуса транзистора	TO-247AD
Тип транзистора	IGBT
Особо опасные вещества	No SVHC (12-Jan-2017)
Время нарастания	250ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGR32N170H1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGR32N170H1 IXYS SEMICONDUCTOR, , IXYS БТИЗ транзистор, изолированный, 26 А, 3.5 В, 200 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов) можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#03011 Поставка: 15 - 25 дней	IXYS IXGR32N170H1 #1348802	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 4 шт. Кратность: 4 шт.	Запросить	IXYS IXGR32N170H1 #1348802 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 4 шт. Кратность: 4 шт. Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170H1 #1300112 БТИЗ транзистор, изолированный, 26 А, 3.5 В, 200 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170H1 #1300112 БТИЗ транзистор, изолированный, 26 А, 3.5 В, 200 Вт, 1.7 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов) Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXGR32N170H1	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXGR32N170H1 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXGR32N170H1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 17 Amps 1700V 5.2 Rds	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXGR32N170H1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 17 Amps 1700V 5.2 Rds Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0210 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXGR32N170H1 #85412900 Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 30 шт. Кратность: 30 шт.	Запросить	IXYS IXGR32N170H1 #85412900 Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 30 шт. Кратность: 30 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽