loader
← Каталог

IXGR50N60B2D1 IGBT

,

ISOPLUS247

IXGR50N60B2D1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: IXGR50N60B2D1.pdf

Макс. рабочая температура

150°C

Постоянный ток коллектора

68A

Количество контактов

3Pins

Макс. непрерывный ток, А

60A

Напряжение

600V

Конфигурация контактов

Copack (FRD)

Рассеиваемая мощность

200W

Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"

2.2V

Тепловое сопротивление перехода к корпусу A

0.6°C/W

Диапазон рабочих температур

-55°C to +150°C

Напряжение коллектор-эмиттер

600V

Макс. рассеиваемая мощность

200W

Мин. рабочая температура

-55°C

Полярность транзистора

N Channel

Тип прекращения

Through Hole

Время спада

65ns

Тип корпуса транзистора

TO-247AD

Тип транзистора

IGBT

Особо опасные вещества

No SVHC (12-Jan-2017)

Время нарастания

65ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGR50N60B2D1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGR50N60B2D1 IXYS SEMICONDUCTOR IGBT, ISOPLUS247 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0201
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS SEMICONDUCTOR
IXGR50N60B2D1

#1300119

IGBT, ISOPLUS247

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS SEMICONDUCTOR
IXGR50N60B2D1

#1300119


IGBT, ISOPLUS247

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка