NGTB30N120LWG БТИЗ транзистор

60 А, 1.75 В, 560 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: NGTB30N120LWG.pdf 172.3kb

Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	TO-247
Тип транзистора	IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	1.75V
Рассеиваемая мощность	560W
Постоянный ток коллектора	60A
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	3Pins

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NGTB30N120LWG с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NGTB30N120LWG ON SEMICONDUCTOR БТИЗ транзистор, 60 А, 1.75 В, 560 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 4

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#03011 Поставка: 15 - 25 дней	ON Semiconductor NGTB30N120LWG #1081671	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NGTB30N120LWG #1081671 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NGTB30N120LWG #2321668 БТИЗ транзистор, 60 А, 1.75 В, 560 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NGTB30N120LWG #2321668 БТИЗ транзистор, 60 А, 1.75 В, 560 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NGTB30N120LWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A FS1 IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NGTB30N120LWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A FS1 IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#02302 Поставка: 30 - 40 дней	ON Semiconductor NGTB30N120LWG ON Semiconductor NGTB30N120LWG, Nжй IGBT ждз, 60 A, еейзж, Vce=1200 V, 3й TO-247еи	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NGTB30N120LWG ON Semiconductor NGTB30N120LWG, Nжй IGBT ждз, 60 A, еейзж, Vce=1200 V, 3й TO-247еи Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽