STGB10NC60KDT4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ST()

STM

ST MICROELECTRONICS

ST2

По запросу

Запросить

Техническая документация: STGB10NC60KDT4.pdf 6.3kb

Макс. рабочая температура	150°C
Импульсный ток ICM	30A
Постоянный ток коллектора	10A
Количество контактов	3Pins
Макс. непрерывный ток, А	20A
Напряжение	600V
Рассеиваемая мощность	60W
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	2.5V
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Напряжение коллектор-эмиттер	600V
Макс. рассеиваемая мощность	60W
Мин. рабочая температура	-55°C
Полярность транзистора	N Channel
Тип прекращения	Surface Mount Device
Тип корпуса транзистора	TO-263
Тип транзистора	IGBT
Время спада	82ns
MSL	MSL 1 - Unlimited
Особо опасные вещества	No SVHC (17-Dec-2015)
Время нарастания	6ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для STGB10NC60KDT4 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить STGB10NC60KDT4 ST(), STM, ST MICROELECTRONICS, ST2, ST Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 16

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0327 Поставка: 5 - 7 дней	STM STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 4 шт.	Запросить	STM STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 4 шт. Запросить
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	ST() STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 2211	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST() STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 2211 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0720 Поставка: 30 - 45 дней	ST STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 20+	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 20+ Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 3Y	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDT4 3Y Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #1456836 IGBT, SMD, 600V, 10A, D2-PAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #1456836 IGBT, SMD, 600V, 10A, D2-PAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #795-8975 STGB10NC60KDT4,IGBT,RUGGED 600V 20A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #795-8975 STGB10NC60KDT4,IGBT,RUGGED 600V 20A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #795-8975P STGB10NC60KDT4,IGBT,RUGGED 600V 20A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #795-8975P STGB10NC60KDT4,IGBT,RUGGED 600V 20A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #168-7720 STGB10NC60KDT4,IGBT,RUGGED 600V 20A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #168-7720 STGB10NC60KDT4,IGBT,RUGGED 600V 20A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0208 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0208 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STMSTGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STMSTGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STMSTGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STMSTGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STMSTGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 #STMSTGB10NC60KDT4 D2PAK 3/ N-channel 600V, 10A Short circuit rated PowerMESH IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#02301 Поставка: 30 - 40 дней	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics STGB10NC60KDT4, Nжй IGBT ждз, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3й D2PAKеи	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics STGB10NC60KDT4, Nжй IGBT ждз, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3й D2PAKеи Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0214 Поставка: 20 - 30 дней	ST2 STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDTR	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт.	Запросить	ST2 STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDTR None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Запросить
#0214 Поставка: 20 - 30 дней	STM STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDTR	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт.	Запросить	STM STGB10NC60KDT4 #STGB10NC60KDTR None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽