STGB30M65DF2
#2490226
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: STGB30M65DF2.pdf
Постоянный ток коллектора |
60A |
Тип корпуса транзистора |
TO-263 |
Особо опасные вещества |
No SVHC (17-Dec-2015) |
Напряжение коллектор-эмиттер |
650V |
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" |
1.55V |
Рассеиваемая мощность |
258W |
Макс. рабочая температура |
175°C |
Количество контактов |
3Pins |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для STGB30M65DF2 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить STGB30M65DF2 ST MICROELECTRONICS, ST БТИЗ транзистор, 60 А, 1.55 В, 258 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов) можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2
#2490226 |
1+ 689,32 ₽ 10+ 522,69 ₽ 100+ 401,72 ₽ 500+ 340,09 ₽ 1000+ 283,03 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
1+ 689,32 ₽ 10+ 522,69 ₽ 100+ 401,72 ₽ 500+ 340,09 ₽ 1000+ 283,03 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0204
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2 #906-2785 IGBT 650V 30A TRENCH GATE LOW LOSS D2PAK Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0204
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2 #906-2785P IGBT 650V 30A TRENCH GATE LOW LOSS D2PAK Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0204
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2 #165-8044 IGBT 650V 30A TRENCH GATE LOW LOSS D2PAK Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2
#STMSTGB30M65DF2 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2 #STMSTGB30M65DF2 D2PAK/Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0210
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ST Microelectronics
STGB30M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#02291
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ST
STGB30M65DF2 #IGBT1866 IGBT 650V 30A 1,55V D2PAK RoHSconf Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |