MSMLJ51CAE3
#MSMLJ51CAE3
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: MSMLJ51CAE3.pdf
Монтаж |
SMD |
Рассеиваемая мощность в импульсе макс. |
3кВт |
Производитель |
MICROCHIP (MICROSEMI) |
Погрешность |
±5% |
Корпус |
DO214AB |
Ток утечки |
2мкА |
Напряжение пробоя |
59,7В |
Обратное напряжение макс. |
51В |
Конструкция диода |
двунаправленный |
Тип диода |
TVS |
Импульсный ток |
36,4А |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для MSMLJ51CAE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить MSMLJ51CAE3 MICROCHIP (MICROSEMI), MICROSEMI COPORATION Диод: TVS; 3кВт; 59,7В; 36,4А; двунаправленный; ±5%; DO214AB можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSMLJ51CAE3
#MSMLJ51CAE3 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0205
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Microsemi Coporation
MSMLJ51CAE3
#MSWMSMLJ51CAE3 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Microsemi Coporation
MSMLJ51CAE3 #MSWMSMLJ51CAE3 DO-214AB/Surface Mount 3000 Watt Transient Voltage Suppressor Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |