Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Диоды — Диоды защитные — Диоды защитные SMD — Диоды transil SMD однонаправленные — MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G Диод: защитный; 40Вт; 12В; 2

35А; SOT23; Упаковка: бобина, лента

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: MMBZ12VALT1G.pdf

Монтаж	SMD
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.	40Вт
Производитель	ONSEMI
Погрешность	±5%
Корпус	SOT23
Ток утечки	200нА
Напряжение пробоя	12В
Обратное напряжение макс.	8,5В
Конструкция диода	общий анод
Вид упаковки	лента
Тип диода	TVS
Характеристики полупроводниковых элементов	защита ESD
Импульсный ток	2,35А

Ниже представлены все возможные варианты поставки для MMBZ12VALT1G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить MMBZ12VALT1G ON SEMICONDUCTOR Диод: защитный; 40Вт; 12В; 2,35А; SOT23; Упаковка: бобина, лента можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ON Semiconductor MMBZ12VALT1G #MMBZ12VALT1G Диод: защитный; 40Вт; 12В; 2,35А; SOT23; Упаковка: бобина, лента	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт.	Запросить	ON Semiconductor MMBZ12VALT1G #MMBZ12VALT1G Диод: защитный; 40Вт; 12В; 2,35А; SOT23; Упаковка: бобина, лента Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽