Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Микросхемы — Аналоговые и смешанные микросхемы — Драйверы MOSFET/IGBT — IR2010PBF

IR2010PBF Driver; bootstrap

мертвое время, генератор подкачки заряда

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: IR2010PBF.pdf

Вид микросхемы	контроллер затвора
Тип микросхемы	driver
Монтаж	THT
Топология	полумост MOSFET
Класс напряжения	200В
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Время выключения	65нс
Корпус	DIP14
Выходной ток	-3...3А
Характеристики интегральных схем	мертвое время
Рабочая температура	-40...125°C
Вид упаковки	туба
Напряжение питания	10...20В DC
Время включения	95нс
Кол-во каналов	2
Мощность	1,6Вт

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IR2010PBF с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES Driver; bootstrap, мертвое время, генератор подкачки заряда можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IR2010PBF #IR2010PBF Driver; bootstrap, мертвое время, генератор подкачки заряда	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IR2010PBF #IR2010PBF Driver; bootstrap, мертвое время, генератор подкачки заряда Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽