Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Микросхемы — Аналоговые и смешанные микросхемы — Драйверы MOSFET/IGBT — NCP5111DR2G

NCP5111DR2G IC: driver; полумост IGBT

полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 600В

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: NCP5111DR2G.pdf

Вид микросхемы	контроллер затвора
Тип микросхемы	driver
Монтаж	SMD
Топология	полумост MOSFET
Класс напряжения	600В
Производитель	ONSEMI
Корпус	SO8
Выходной ток	-500...250мА
Защита	от снижения напряжения UVP
Рабочая температура	-40...125°C
Время нарастания импульса	160нс
Вид упаковки	лента
Время падения импульса	75нс
Кол-во каналов	2
Напряжение питания	10...20В DC

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NCP5111DR2G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NCP5111DR2G ON SEMICONDUCTOR IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 600В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ON Semiconductor NCP5111DR2G #NCP5111DR2G IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 600В	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NCP5111DR2G #NCP5111DR2G IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 600В Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽