Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Микросхемы — Аналоговые и смешанные микросхемы — Драйверы MOSFET/IGBT — NCP5181DR2G

NCP5181DR2G IC: driver; полумост IGBT

полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Вид микросхемы	контроллер затвора
Тип микросхемы	driver
Монтаж	SMD
Топология	полумост MOSFET
Класс напряжения	600В
Производитель	ONSEMI
Корпус	SO8
Выходной ток	-2,2...1,4А
Защита	от снижения напряжения UVP
Рабочая температура	-40...125°C
Время нарастания импульса	60нс
Вид упаковки	лента
Время падения импульса	40нс
Кол-во каналов	2
Напряжение питания	10...20В DC

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NCP5181DR2G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NCP5181DR2G ON SEMICONDUCTOR IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ON Semiconductor NCP5181DR2G #NCP5181DR2G IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NCP5181DR2G #NCP5181DR2G IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽