SI4500BDY-T1-GE3 MOSFET

NP CH,HALF BR,DIODE,20V,SO8

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI4500BDY-T1-GE3.pdf

Макс. рабочая температура	150°C
MSL	MSL 1 - Unlimited
Количество контактов	8Pins
Идентификатор постоянного тока стока, канал P	-5.3A
Сопротивление при включенном состоянии	0.016ohm
Конфигурация модулей	Dual
Рассеиваемая мощность	1.3W
Испытательное напряжение	4.5V
Непрерывный ток стока	6.6A
Макс. сила тока	6.6A
Сопротивление в открытом состоянии, N канал	0.016ohm
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Идентификатор постоянного тока стока, канал N	9.1A
Мин. рабочая температура	-55°C
Полярность транзистора	N and P Channel
Пороговое напряжение	1.5V
Тип корпуса транзистора	SOIC
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jun-2015)
Напряжение источника стока, канал N	20V
Сопротивление в открытом состоянии, P канал	0.048ohm
Напряжение источника стока	20V
Напряжение источника стока, канал P	-20V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI4500BDY-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI4500BDY-T1-GE3 VISHAY MOSFET,NP CH,HALF BR,DIODE,20V,SO8 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SI4500BDY-T1-GE3 #1858960 MOSFET,NP CH,HALF BR,DIODE,20V,SO8	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SI4500BDY-T1-GE3 #1858960 MOSFET,NP CH,HALF BR,DIODE,20V,SO8 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽