SI4511DY-T1-GE3
#1779267
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SI4511DY-T1-GE3.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
0.0115ohm |
Диапазон рабочих температур |
-55°C to +150°C |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Макс. напряжение |
16V |
Тип корпуса транзистора |
SOIC |
Полярность транзистора |
N and P Channel |
Рассеиваемая мощность |
2W |
Напряжение источника стока |
20V |
MSL |
MSL 1 - Unlimited |
Испытательное напряжение |
10V |
Непрерывный ток стока |
7.2A |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Количество контактов |
8Pins |
Макс. сила тока |
9.6A |
Пороговое напряжение |
600mV |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI4511DY-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SI4511DY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX, SILICONIX, VISHAY MOSFET, NP-CH, 20V, SO8 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#0205
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#0212
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |