SI4910DY-T1-GE3 MOSFET

NN CH,DIODE,40V,6A,8-SOIC

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI4910DY-T1-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.022ohm
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Макс. рабочая температура	150°C
Конфигурация модулей	Dual
Тип корпуса транзистора	SOIC
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jun-2015)
Напряжение источника стока, канал N	40V
Рассеиваемая мощность	2W
Напряжение источника стока	40V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Полярность транзистора	Dual N Channel
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	7.6A
Идентификатор постоянного тока стока, канал N	7.6A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	8Pins
Макс. сила тока	6A
Сопротивление в открытом состоянии, N канал	0.022ohm
Пороговое напряжение	2V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI4910DY-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI4910DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET,NN CH,DIODE,40V,6A,8-SOIC можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SI4910DY-T1-GE3 #1858969 MOSFET,NN CH,DIODE,40V,6A,8-SOIC	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SI4910DY-T1-GE3 #1858969 MOSFET,NN CH,DIODE,40V,6A,8-SOIC Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽