SIB912DK-T1-GE3 MOSFET

DUAL N CH, 20V, 1.5A, POWERPAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SIB912DK-T1-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.18ohm
Тип корпуса транзистора	PowerPAK SC75
Макс. рабочая температура	150°C
Рассеиваемая мощность	3.1W
Напряжение источника стока	20V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	4.5V
Непрерывный ток стока	1.5A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	6Pins
Полярность транзистора	Dual N Channel
Пороговое напряжение	400mV

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIB912DK-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIB912DK-T1-GE3 VISHAY MOSFET, DUAL N CH, 20V, 1.5A, POWERPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SIB912DK-T1-GE3 #2335394 MOSFET, DUAL N CH, 20V, 1.5A, POWERPAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SIB912DK-T1-GE3 #2335394 MOSFET, DUAL N CH, 20V, 1.5A, POWERPAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽