SQJ912EP-T1-GE3 MOSFET

DUAL N-CH, 40V, 8A, PPAKSO8L

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SQJ912EP-T1-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.011ohm
Тип корпуса транзистора	PowerPAK SO
Макс. рабочая температура	175°C
Рассеиваемая мощность	48W
Напряжение источника стока	40V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	8A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	8Pins
Полярность транзистора	Dual N Channel
Пороговое напряжение	1.8V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SQJ912EP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SQJ912EP-T1-GE3 VISHAY MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 8A, PPAKSO8L можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SQJ912EP-T1-GE3 #2364123 MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 8A, PPAKSO8L	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SQJ912EP-T1-GE3 #2364123 MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 8A, PPAKSO8L Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽