ZXMN6A09DN8 MOSFET

DUAL, N, SO-8

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INC.

По запросу

Запросить

Техническая документация: ZXMN6A09DN8.pdf

Типовое напряжение	60V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Макс. рассеяние мощности	1.25W
Количество контактов	8Pins
Температура при токовой нагрузке	25°C
Измерение напряжения	10V
Сопротивление при включенном состоянии	0.045ohm
Импульсный ток модуля	17.6A
Рассеиваемая мощность	1.25W
Непрерывный ток стока	5.2A
Сопротивление в открытом состоянии, N канал	0.04ohm
Идентификатор постоянного тока стока, канал N	5.6A
Маркировка разметки	ZXMN6A09D
Макс. сопротивление при включенном состоянии	45mohm
Полярность транзистора	Dual N Channel
Пороговое напряжение	3V
Мин. напряжение	1V
Макс. температура перехода	150°C
Тип корпуса транзистора	SOIC
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jan-2018)
Напряжение источника стока, канал N	60V
Количество транзисторов	2
Напряжение источника стока	60V
Испытательное напряжение	10V
Мин. температура перехода	-55°C

Ниже представлены все возможные варианты поставки для ZXMN6A09DN8 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить ZXMN6A09DN8 DIODES INC. MOSFET, DUAL, N, SO-8 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	DIODES INC. ZXMN6A09DN8 #9525785 MOSFET, DUAL, N, SO-8	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DIODES INC. ZXMN6A09DN8 #9525785 MOSFET, DUAL, N, SO-8 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽