IPD068N10N3 G МОП-транзистор N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ROCHESTER ELECTRONICS

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Infineon Technologies IPD068N10N3 G IPD068N10N3 G

30-45 дней со склада #0727

1000 шт. доступно В наличии на складе #0727.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Запросить

Техническая документация: IPD068N10N3_G.pdf

Другие названия товара №	IPD068N10N3GBTMA1 SP000469892
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Конфигурация	Single
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	20 V
Упаковка / блок	TO-252-3
Время спада	9 ns
Производитель	Infineon
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Торговая марка	Infineon Technologies
Id - непрерывный ток утечки	90 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.8 mOhms
Упаковка	Reel
Pd - рассеивание мощности	150 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Время нарастания	37 ns
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Типичное время задержки выключения	37 ns
RoHS
Категория продукта	МОП-транзистор

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD068N10N3 G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD068N10N3 G ROCHESTER ELECTRONICS, INFINEON TECHNOLOGIES МОП-транзистор N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	Infineon Technologies IPD068N10N3G #IPD068N10N3G 22+	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IPD068N10N3G #IPD068N10N3G 22+ Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0727 Поставка: 30 - 45 дней	Infineon Technologies IPD068N10N3 G #IPD068N10N3 G	Цены по запросу	1000 шт. В наличии на складе #0727. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней	Запросить	Infineon Technologies IPD068N10N3 G #IPD068N10N3 G Цены по запросу 1000 шт. В наличии на складе #0727. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней Запросить
#0727 Поставка: 30 - 45 дней	Infineon Technologies IPD068N10N3G #IPD068N10N3G TO-252	Цены по запросу	1646 шт. В наличии на складе #0727. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней	Запросить	Infineon Technologies IPD068N10N3G #IPD068N10N3G TO-252 Цены по запросу 1646 шт. В наличии на складе #0727. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IPD068N10N3 G MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	Infineon Technologies IPD068N10N3 G MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IPD068N10N3 G МОП-транзистор N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IPD068N10N3 G МОП-транзистор N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Rochester Electronics IPD068N10N3G #REIIPD068N10N3G TO252-3/N-KANAL POWER MOS	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Rochester Electronics IPD068N10N3G #REIIPD068N10N3G TO252-3/N-KANAL POWER MOS Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽