loader
← Каталог

IXGH30N60C3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V

IXGH30N60C3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: IXGH30N60C3.pdf

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Вид монтажа

Through Hole

Конфигурация

Single

Упаковка / блок

TO-247-3

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

Производитель

IXYS

Торговая марка

IXYS

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Упаковка

Tube

Продукт

IGBT Silicon Modules

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 V

Рассеяние мощности

220 W

Минимальная рабочая температура

- 55 C

Вес изделия

6.500 g

RoHS

 

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGH30N60C3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGH30N60C3 IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGH30N60C3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGH30N60C3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка