BQ2201SN
#BQ2201SN
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Техническая документация: BQ2201SN.pdf 292.7kb
Упаковка / блок |
SOIC-8 |
Максимальная рабочая температура |
+ 85 C |
Вид монтажа |
SMD/SMT |
Тип |
Non-Volatile SRAM (NVSRAM) |
Индикатор состояния литиевой батареи |
Yes |
Производитель |
Texas Instruments |
Торговая марка |
Texas Instruments |
Напряжение питания - макс. |
5.5 V |
Рабочий ток |
3 mA |
Упаковка |
Tube |
Напряжение питания - мин. |
4.5 V |
Тип памяти |
Nonvolatile SRAM |
Переключение на резервное батарейное питание |
Yes |
Описание/функция |
Provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatileread/write memory |
Минимальная рабочая температура |
0 C |
Вес изделия |
76 mg |
RoHS |
|
Категория продукта |
Контроллеры памяти |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для BQ2201SN с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить BQ2201SN TEXAS INSTRUMENTS Контроллеры памяти SRAM Nonvolatile Controller IC можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты