loader

Микросхемы

Все Только в наличии
Diodes Incorporated
AP9211S-AB-HAC-7
IC: система контроля
По запросу
Цена по запросу
DIODES
AP9211SA-AK-HAC-7
IC: система контроля
По запросу
от 68,32 ₽
Diodes Incorporated
AP9211S-AE-HAC-7
IC: система контроля
По запросу
Цена по запросу
Diodes Incorporated
AP9211S-AF-HAC-7
IC: система контроля
По запросу
Цена по запросу
Diodes Incorporated
AP9211S-AL-HAC-7
IC: система контроля
По запросу
от 71,81 ₽
ISSI
IS42S16100H-7BLI
IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TFBGA60; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42SM16800H-75BLI-TR
IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42VM16200D-75BLI-TR
IC: память DRAM; 1Mx16битx2; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42S16100H-6TL-TR
IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; 0÷70°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42VM16400M-75BLI
IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42SM16400M-75BLI
IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
от 681,01 ₽
ISSI
IS42VM16400M-75BLI-TR
IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42S16100H-6BLI-TR
IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42VM16800H-75BLI-TR
IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42S16100H-6TL
IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; 0÷70°C
По запросу
от 277,21 ₽
ISSI
IS42VM16800H-6BLI
IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42SM32100D-6BLI
IC: память DRAM; 512Кx32битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42RM32400H-75BLI
IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
По запросу
Цена по запросу
ISSI
IS42VM16800H-75BLI
IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
По запросу
от 984,41 ₽
ISSI
IS42S16100H-6BL-TR
IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60; 0÷70°C
По запросу
Цена по запросу