A1P50S65M2 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ST MICROELECTRONICS

По запросу

Запросить

Техническая документация: A1P50S65M2.pdf

Ток коллектора в импульсе	100А
Топология	термистор NTC
Рассеиваемая мощность	208Вт
Производитель	STMicroelectronics
Применение	инвертор
Корпус	ACEPACK™1
Ток коллектора	50А
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	650В
Электрический монтаж	Press-in PCB
Конструкция диода	транзистор/транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для A1P50S65M2 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить A1P50S65M2 ST MICROELECTRONICS Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	ST Microelectronics A1P50S65M2 #A1P50S65M2 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics A1P50S65M2 #A1P50S65M2 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽