APT100GT120JRDQ4 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1

2кВ; Ic: 67А; SOT227B

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP / MICROSEMI

MICROCHIP

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT100GT120JRDQ4.pdf

Ток коллектора в импульсе	200А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Корпус	SOT227B
Ток коллектора	67А
Технология	Thunderblot IGBT®
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	1,2кВ
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	одиночный транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT100GT120JRDQ4 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT100GT120JRDQ4 MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

11916.43 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GT120JRDQ4 #APT100GT120JRDQ4 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GT120JRDQ4 #APT100GT120JRDQ4 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT100GT120JRDQ4 IGBT 1200V 123A 570W SOT227	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT100GT120JRDQ4 IGBT 1200V 123A 570W SOT227 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT100GT120JRDQ4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT100GT120JRDQ4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip / Microsemi APT100GT120JRDQ4	1+ 11916,44 ₽ 10+ 11914,22 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip / Microsemi APT100GT120JRDQ4 None 1+ 11916,44 ₽ 10+ 11914,22 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT100GT120JRDQ4 #MSWAPT100GT120JR!A SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT100GT120JRDQ4 #MSWAPT100GT120JR!A SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT100GT120JRDQ4 #MSWAPT100GT120JR!A SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT100GT120JRDQ4 #MSWAPT100GT120JR!A SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽