loader
← Каталог

APT35GP120J Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1

,

2кВ; Ic: 29А; SOT227B

APT35GP120J

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: APT35GP120J.pdf

Ток коллектора в импульсе

140А

Производитель

MICROCHIP (MICROSEMI)

Корпус

SOT227B

Ток коллектора

29А

Технология

PT

Механический монтаж

винтами

Обратное напряжение макс.

1,2кВ

Электрический монтаж

винтами

Конструкция диода

одиночный транзистор

Тип модуля

IGBT

Напряжение затвор - эмиттер

±30В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT35GP120J с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT35GP120J MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

7681.88 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J

#APT35GP120J

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J

#APT35GP120J


Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
Microchip
APT35GP120J
IGBT 1200V 64A 284W SOT227

1+ 7681,89 ₽

По запросу

Ожидается поставка

Microchip
APT35GP120J IGBT 1200V 64A 284W SOT227

1+ 7681,89 ₽

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Microsemi Coporation
APT35GP120J
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Microsemi Coporation
APT35GP120J Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка