APT35GP120JDQ2 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1

2кВ; Ic: 26А; SOT227B

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT35GP120JDQ2.pdf

Ток коллектора в импульсе	140А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Корпус	SOT227B
Ток коллектора	26А
Технология	PT
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	1,2кВ
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	одиночный транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±30В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT35GP120JDQ2 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT35GP120JDQ2 MICROCHIP (MICROSEMI), MICROSEMI COPORATION Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120JDQ2 #APT35GP120JDQ2 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120JDQ2 #APT35GP120JDQ2 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT35GP120JDQ2 IGBT 1200V 64A 284W SOT227	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 13 шт. Кратность: 13 шт.	Запросить	Microsemi Coporation APT35GP120JDQ2 IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 13 шт. Кратность: 13 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT35GP120JDQ2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT35GP120JDQ2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽