loader
← Каталог

APT65GP60J Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B

APT65GP60J

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: APT65GP60J.pdf

Ток коллектора в импульсе

250А

Производитель

MICROCHIP (MICROSEMI)

Корпус

SOT227B

Ток коллектора

60А

Технология

PT

Механический монтаж

винтами

Обратное напряжение макс.

600В

Электрический монтаж

винтами

Конструкция диода

одиночный транзистор

Тип модуля

IGBT

Напряжение затвор - эмиттер

±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT65GP60J с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT65GP60J MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

6199.82 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60J

#APT65GP60J

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60J

#APT65GP60J


Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
Microchip
APT65GP60J
IGBT 600V 130A 431W SOT227

1+ 6199,83 ₽

По запросу

Ожидается поставка

Microchip
APT65GP60J IGBT 600V 130A 431W SOT227

1+ 6199,83 ₽

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Microsemi Coporation
APT65GP60J
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Microsemi Coporation
APT65GP60J Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка