APT80GP60J
#APT80GP60J
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (812) 385-76-87
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![APT80GP60J]( "APT80GP60J")
Каталог
—
Каталог ТМЕ
—
Полупроводники
—
Транзисторы
—
Транзисторы и модули IGBT
—
Модули IGBT
—
APT80GP60J
APT80GP60J Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: APT80GP60J.pdf
Ток коллектора в импульсе |
330А |
Производитель |
MICROCHIP (MICROSEMI) |
Корпус |
SOT227B |
Ток коллектора |
68А |
Технология |
PT |
Механический монтаж |
винтами |
Обратное напряжение макс. |
600В |
Электрический монтаж |
винтами |
Конструкция диода |
одиночный транзистор |
Тип модуля |
IGBT |
Напряжение затвор - эмиттер |
±20В |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT80GP60J с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить APT80GP60J MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROSEMI COPORATION Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
3
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GP60J |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GP60J #APT80GP60J Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|
|
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Microsemi Coporation
APT80GP60J Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|
|
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |