BSM10GD120DN2E3224BOSA1
#BSM10GD120DN2E3224
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: BSM10GD120DN2E3224BOSA1.pdf
Ток коллектора в импульсе |
20А |
Топология |
полумост IGBT x3 |
Рассеиваемая мощность |
80Вт |
Производитель |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Применение |
инвертор |
Корпус |
ECONOPACK 2K |
Ток коллектора |
10А |
Механический монтаж |
винтами |
Обратное напряжение макс. |
1,2кВ |
Электрический монтаж |
Press-in PCB |
Конструкция диода |
транзистор/транзистор |
Тип модуля |
IGBT |
Напряжение затвор - эмиттер |
±20В |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSM10GD120DN2E3224BOSA1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить BSM10GD120DN2E3224BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 10А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Infineon Technologies
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
#BSM10GD120DN2E3224 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|
|
#0205
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Infineon Technologies
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |