loader
← Каталог

BSM20GP60 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM

BSM20GP60

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: BSM20GP60.pdf 8.4mb

Максимальная рабочая температура

+ 125 C

Вид монтажа

Screw

Конфигурация

Hex

Упаковка / блок

EconoPIM2

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

35 A

Производитель

Infineon

Торговая марка

Infineon Technologies

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Ток утечки затвор-эмиттер

300 nA

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Продукт

IGBT Silicon Modules

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.95 V

Рассеяние мощности

130 W

Минимальная рабочая температура

- 40 C

RoHS

 

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSM20GP60 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить BSM20GP60 INFINEON TECHNOLOGIES Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Infineon Technologies
BSM20GP60
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10 шт.
Кратность: 10 шт.

Infineon Technologies
BSM20GP60 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10 шт.
Кратность: 10 шт.