FF200R12KT4HOSA1 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1

2кВ

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: FF200R12KT4HOSA1.pdf

Ток коллектора в импульсе	400А
Топология	полумост IGBT
Рассеиваемая мощность	1,1кВт
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус	AG-62MM-1
Ток коллектора	200А
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	1,2кВ
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	транзистор/транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FF200R12KT4HOSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #FF200R12KT4 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #FF200R12KT4 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽