FZ2000R33HE4BOSA1 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор

общий эмиттер; IGBT x3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Ток коллектора в импульсе	4кА
Топология	IGBT x3
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус	AG-IHVB190-3
Ток коллектора	2кА
Технология	TRENCHSTOP™
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	3,3кВ
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	транзистор/транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FZ2000R33HE4BOSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1 #FZ2000R33HE4BOSA1 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1 #FZ2000R33HE4BOSA1 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽