GD650HFX170P1S Модуль: IGBT

Внешний вид товара может отличаться от представленного

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

По запросу

Запросить

Ток коллектора в импульсе	1300А
Топология	полумост IGBT
Производитель	STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус	P1.0
Ток коллектора	650А
Технология	Trench FS IGBT
Механический монтаж	винтами
Обратное напряжение макс.	1700В
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	транзистор/транзистор
Тип модуля	IGBT
Напряжение затвор - эмиттер	±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для GD650HFX170P1S с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить GD650HFX170P1S None Модуль: IGBT можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD650HFX170P1S #GD650HFX170P1S Модуль: IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 9 шт. Кратность: 9 шт.	Запросить	STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD650HFX170P1S #GD650HFX170P1S Модуль: IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 9 шт. Кратность: 9 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽