IXGN50N120C3H1
#IXGN50N120C3H1
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: IXGN50N120C3H1.pdf
Ток коллектора в импульсе |
240А |
Рассеиваемая мощность |
460Вт |
Производитель |
IXYS |
Корпус |
SOT227B |
Ток коллектора |
50А |
Технология |
PT |
Механический монтаж |
винтами |
Обратное напряжение макс. |
1,2кВ |
Электрический монтаж |
винтами |
Конструкция диода |
одиночный транзистор |
Тип модуля |
IGBT |
Напряжение затвор - эмиттер |
±20В |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGN50N120C3H1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IXGN50N120C3H1 IXYS Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
IXYS
IXGN50N120C3H1
#IXGN50N120C3H1 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0205
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
IXYS
IXGN50N120C3H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |