loader
← Каталог

IXGN50N120C3H1 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1

,

2кВ; Ic: 50А; SOT227B

IXGN50N120C3H1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: IXGN50N120C3H1.pdf

Ток коллектора в импульсе

240А

Рассеиваемая мощность

460Вт

Производитель

IXYS

Корпус

SOT227B

Ток коллектора

50А

Технология

PT

Механический монтаж

винтами

Обратное напряжение макс.

1,2кВ

Электрический монтаж

винтами

Конструкция диода

одиночный транзистор

Тип модуля

IGBT

Напряжение затвор - эмиттер

±20В

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGN50N120C3H1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGN50N120C3H1 IXYS Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGN50N120C3H1

#IXGN50N120C3H1

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGN50N120C3H1

#IXGN50N120C3H1


Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGN50N120C3H1
IGBT 1200V 95A SOT-227

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10 шт.
Кратность: 10 шт.

IXYS
IXGN50N120C3H1 IGBT 1200V 95A SOT-227

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10 шт.
Кратность: 10 шт.

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGN50N120C3H1
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGN50N120C3H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка